přechod P-N

Přechod P-N je oblast na rozhraní příměsového polovodiče typu P a polovodiče typu N. Přechod P-N se chová jako hradlo, tzn. propouští elektrický proud pouze jedním směrem.

Přechod P-N se vytváří difuzí materiálu typu P do materiálu typu N. Materiál typu P potom pronikne rovnoměrně do materiálu typu N. Přechod P-N může být připojen v závěrném, nebo propustném směru, proto propouští proud jedním směrem, jako výše zmíněné hradlo.

Vlastností přechodu P-N se používá v polovodičových součástkách - diodě, tranzistoru, fotodiodě a další

p-n junction

A p–n junction is formed at the boundary between a p-type and n-type semiconductor created in a single crystal of semiconductor by doping. If two separate pieces of material were used, this would introduce a grain boundary between the semiconductors that severely inhibits its utility by scattering the electrons and holes.

p–n junctions are elementary "building blocks" of most semiconductor electronic devices such as diodes, transistors, solar cells, LEDs, and integrated circuits; they are the active sites where the electronic action of the device takes place. For example, a common type of transistor, the bipolar junction transistor, consists of two p–n junctions in series, in the form n–p–n or p–n–p.